کلید صفر و یک ( راکر ) چهار پین با کنترل دو گانه ساخت تایوان با پایه های مسی 10,000 تومان
Back to products
خازن 10000 میکرو فاراد 10 ساخت SIC-SAFCO فرانسه،با عمر 10000 ساعت 3,500 تومان
Sold out
Click to enlarge

ترانزیستور IRF9540 پاور ماسفت P-CHANNEL با توان 100V-140W-23A ساخت IR

25,000 تومان

این ماسفت دارای ۰٫117 اهم مقاومت بین سورس و درین است .

در انبار موجود نمی باشد

Add to wishlist
دسته: , برچسب: , , ,
توضیحات

ترانزیستور IRF9540 پاور ماسفت P-CHANNEL با توان 100V-140W-23A ساخت IR .

پاور ماسفت IRF9540   P-CHANNEL

این ماسفت دارای ۰٫117 اهم مقاومت بین سورس و درین است .

ترانزیستور IRF9640

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان‌که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

 

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

 

ویژگیهای این پاور ماسفت :

  • نسل سوم ماسفت

  • طراحی ماسفت با بهترین ترکیب سریع سوئیچینگ

  • مقاومت پایین

  • استانداردهای سختگیرانه

  • مقاومت حرارتی پایین

ترانزیستور IRF9540

دیتا شیت ترانزیستور IRF9540 :

PDF

قیمت برخی از ارایه دهنده گان ترانزیستور IRF9540 :

قیمت

قیمت

از خازنهای سیلمیک چه میدانید ؟!

 

خازن سیلمیک

نظرات (0)

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

.فقط مشتریانی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سیستم شده اند میتوانند برای این محصول دیدگاه ارسال کنند.