آی سی TL072CP
آی سی TL072CP آمپلی فایر با دو آپ امپ با نویز پایین ساخت TEXAS آمریکا 27,000 تومان
Back to products
ترانزیستور B80NF55 پاورماسفت N-channel توان 55V-80A-300W-RDS=0.005Ω 11,500 تومان
Sold out
ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH
ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH
Click to enlarge
ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH
ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH

ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH با توان 200V-125W-11A ساخت VISHAY

25,000 تومان

نسل سوم ماسفت ، طراحی ماسفت با بهترین ترکیب سریع سوئیچینگ ،مقاومت پایین ،استانداردهای سختگیرانه،مقاومت حرارتی پایین

در انبار موجود نمی باشد

Add to wishlist
دسته: , برچسب: , , , , ,
توضیحات

ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH با توان 200V-125W-11A ساخت VISHAY .

این محصول در انگلستان ساخته شده است .

این ماسفت دارای 0.5 اهم مقاومت بین سورس و درین است .

ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH

 

ویژگیهای این پاور ماسفت :

  • نسل سوم ماسفت

  • طراحی ماسفت با بهترین ترکیب سریع سوئیچینگ

  • مقاومت پایین

  • استانداردهای سختگیرانه

  • مقاومت حرارتی پایین

 

ترانزیستور IRF9640

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

 

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان‌که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

 

 

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

 

ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH

دیتا شیت ترانزیستور IRF9640 :

PDF

 

 

قیمت برخی از ارایه دهنده گان ترانزیستور IRF9640 پاور ماسفت P-CH :

 

قیمت

 

قیمت

 

از خازنهای سیلمیک چه میدانید ؟!

 

خازن سیلمیک

نظرات (0)

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

.فقط مشتریانی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سیستم شده اند میتوانند برای این محصول دیدگاه ارسال کنند.