مقالات

مقاله استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی

چکیده مقاله استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی:

 

این مقاله برای افزایش فرکانس نوسان در اسیلاتورهای حلقوی روشی را پیشنهاد می کند که مبنای انتخاب آن از روابطی نشأت میگیرد که برای تعیین فرکانس نوسان این نوع از اسیلاتورها استفاده می شود .

 

بطوریکه طبق روابط بدست آمده برای محاسبه فرکانس نوسان دراسیلاتورهای حلقوی، همواره با کاهش خازن های گره خروجی، فرکانس نوسان افزایش خواهد یافت.

لذا در روش پیشنهادی، با استفاده از سلولهای ایجاد کننده خازن منفی حتّی زمانی که خازن گره خروجی فقط ناشی از خازنهای پیوندی ترانزیستورها باشد، می توان فرکانس را افزایش داد.

 

کارایی این روش با شبیه سازی یک اسیلاتور حلقوی ۳ طبقه بررسی شده که طبقات بهره در آن، تقویت کننده های سورس مشترکی اند که ازترانزیستورهای TSMC CMOS 0.18 um و مقاومت اهمی متصل به درین شکل گرفته اند.

شبیه سازی این اسیلاتور حلقوی نوعی، افزایش ۹ برابری فرکانس نوسان را نشان داده است.

 

این نتیجه حتّی بهتر از حالتی است که از خازن منفی ایده آل در گره های خروجی اسیلاتور شبیه
سازی شده در این مقاله استفاده شده است.

 

مقدمه:

اسیلاتورهای حلقوی از بلوک های مهم در سیستم های مخابراتی به شمار می روند.

بطوریکه به علّت توان مصرفی کم، سطح اشغالی اندک و قابلیت تنظیم بالا، به طور گسترده ای درساختار سنتزکننده های فرکانسی و مدارهای بازیابی کلاک و داده مورد استفاده قرار می گیرند.

نویز فاز، فرکانس نوسان و توان مصرفی عموماً از پارامترهای مهم در طرّاحی یک اسیلاتور به شمار می روند.

بطوریکه همواره بهبود و رفع محدودیت در دستیابی توأمان این مشخصه ها از جمله اهداف طرّاحان در طرّاحی اسیلاتورها بوده است.

 

اسیلاتورهای حلقوی متشکل از مجموعه ای از مقاومت ها و ترانزیستورها میباشند،

بنابراین به علّت حضور مقاومت و خازن های داخلی ترانزیستورها، یکی از محدودیت هایی که همواره در این گونه از ساختارها وجود دارد، فرکانس نوسان آنهاست….

 

ادامه مطلب مقاله استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در فایل   pdf

 

از خازنهای سیلمیک چه میدانید ؟!

 

خازن سیلمیک

 

1 نظر در “مقاله استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.